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解析:Si衬底LED芯片制作和封装技能

作者:环亚ag88时间:2018-10-14 13:14浏览:

  解析:Si衬底LED芯片制作和封装技能

  现在日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技能,美国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基LED专利技能。因而,研制其他衬底上的GaN基LED生产技能成为国际上的一个热门。

  1 Si衬底LED芯片制作

  1.1 技能道路

  在si衬底上成长GaN,尊龙备用网址,制作LED蓝光芯片。

  工艺流程:在si衬底上成长AlN缓冲层→成长n型GaN→成长InGaN多量子阱发光层→成长P型AlGaN层→成长p型GaN层→键合带Ag反光层并构成p型欧姆触摸电极→剥离衬底并去除缓冲层→制作n型掺si层的欧姆触摸电极→合金→钝化→划片→测验→包装。

  1.2 首要制作工艺

  si衬底GaN基LED芯片结构图见图1。

  

  

图1 si衬底GaN基LED芯片结构图

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