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硅基GaN LED及光萃取技能完成高性价比照明www.ag88.com

作者:环亚ag88时间:2018-10-09 09:15浏览:

  硅基GaN LED及光萃取技能完成高性价比照明

  传统的氮化镓(GaN)LED元件通常以蓝宝石或碳化硅(SiC)为衬底,由于这两种资料与GaN的晶格匹配度较好,衬底常用尺度为2"或4"。业界一直在致力于用供给更为丰厚的硅晶圆(6"或更大)来开展GaN,由于硅衬底可明显降低本钱,www.ag88.com。并且能够在自动化IC出产线上制作。据合理估量,相较于传统技能,这种衬底可节约80%的本钱。

  可是,硅衬底的问题在于与GaN之间在机械和热力方面严峻不匹配,这会导致构成LED元件的晶圆呈现严峻翘曲和晶体资料质量变差。现在,剑桥大学衍生公司CamGan(2012年被Plessey收买)的硅基GaN技能已处理了此类不匹配问题,【爆破新闻】阳光照明请求合营印度公司破产清算,且已成功应用于其坐落英国普利茅斯的晶圆加工厂。由此,业界首款低本钱、入门级其他商用硅基GaNLED现正处于上市阶段。初级产品首要面向指示灯和要点照明商场,其光效为30-40lm/W,本年三、四季度将会推出70lm/W的产品,供给给更多通用照明商场。

  

硅基GaN LED及光萃取技能完成高性价比照明

  

图1:笔直LED出产流程图。

  GaNonSiGrowth:硅基氮化镓成长

  Mirrorlayeradded:增设的镜像图层

  Wafer:运用晶圆

  Flipbondedwafer:倒装键合晶片

  Substrateremoval:衬底去除

  Metallisationandsurfacetexturing:喷涂金属层和外表纹路

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